HIRF730F Todos los transistores

 

HIRF730F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HIRF730F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP
 

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HIRF730F Datasheet (PDF)

 7.1. Size:46K  hsmc
 hirf730.pdf pdf_icon

HIRF730F

Spec. No. : MOS200406HI-SINCERITYIssued Date : 2004.10.01Revised Date : 2005.04.22MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HIRF730 Series Pin AssignmentHIRF730 / HIRF730FTabN-CHANNEL POWER MOSFET3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: EPin 1: GatePin 2 & Tab: DrainDescriptionPin 3: SourceThird Generation HEXFETs from international Rectifier provide thedesigner with the

 9.1. Size:48K  hsmc
 hirf740.pdf pdf_icon

HIRF730F

Spec. No. : MOS200512HI-SINCERITYIssued Date : 2005.09.01Revised Date : 2005.09.22MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HIRF740 Series Pin AssignmentHIRF740 / HIRF740FTabN-Channel Power MOSFET (400V, 10A)3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: EPin 1: GatePin 2 & Tab: DrainDescriptionPin 3: SourceThis N-Channel MOSFETs provide the designer with the best combinationo

Otros transistores... H8205 , H8205A , H9435S , H9926S , H9926TS , HIRF630 , HIRF630F , HIRF730 , P55NF06 , HIRF740 , HIRF740F , HIRF830 , HIRF830F , HIRF840 , HIRF840F , BUZ11S2 , BUZ11S2FI .

History: SM4915PSK | SI4493DY | WMM08N65EM | WSF40N10A | STD10NM60ND | STD11NM60N-1 | SI3430DV

 

 
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