Справочник MOSFET. HIRF730F

 

HIRF730F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HIRF730F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
 

 Аналог (замена) для HIRF730F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HIRF730F Datasheet (PDF)

 7.1. Size:46K  hsmc
 hirf730.pdf pdf_icon

HIRF730F

Spec. No. : MOS200406HI-SINCERITYIssued Date : 2004.10.01Revised Date : 2005.04.22MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HIRF730 Series Pin AssignmentHIRF730 / HIRF730FTabN-CHANNEL POWER MOSFET3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: EPin 1: GatePin 2 & Tab: DrainDescriptionPin 3: SourceThird Generation HEXFETs from international Rectifier provide thedesigner with the

 9.1. Size:48K  hsmc
 hirf740.pdf pdf_icon

HIRF730F

Spec. No. : MOS200512HI-SINCERITYIssued Date : 2005.09.01Revised Date : 2005.09.22MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HIRF740 Series Pin AssignmentHIRF740 / HIRF740FTabN-Channel Power MOSFET (400V, 10A)3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: EPin 1: GatePin 2 & Tab: DrainDescriptionPin 3: SourceThis N-Channel MOSFETs provide the designer with the best combinationo

Другие MOSFET... H8205 , H8205A , H9435S , H9926S , H9926TS , HIRF630 , HIRF630F , HIRF730 , IRFB4110 , HIRF740 , HIRF740F , HIRF830 , HIRF830F , HIRF840 , HIRF840F , BUZ11S2 , BUZ11S2FI .

History: MTM12N10 | SML40B37 | SI4888DY | HRLD40N04K | TK290P65Y | IRF1503PBF

 

 
Back to Top

 


 
.