HIRF830 Todos los transistores

 

HIRF830 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HIRF830

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO220AB

 Búsqueda de reemplazo de HIRF830 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HIRF830 datasheet

 ..1. Size:46K  hsmc
 hirf830.pdf pdf_icon

HIRF830

Spec. No. MOS200407 HI-SINCERITY Issued Date 2004.10.01 Revised Date 2005.04.22 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HIRF830 Series Pin Assignment HIRF830 / HIRF830F Tab N-CHANNEL POWER MOSFET 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source This N - Channel MOSFETs provide the designer with the best combination of fast swi

 9.1. Size:47K  hsmc
 hirf840.pdf pdf_icon

HIRF830

Spec. No. MOS200505 HI-SINCERITY Issued Date 2005.06.01 Revised Date 2005.06.08 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HIRF840 Series Pin Assignment HIRF840 / HIRF840F Tab N-CHANNEL POWER MOSFET 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source This N - Channel MOSFETs provide the designer with the best combination of fast swi

Otros transistores... H9926S , H9926TS , HIRF630 , HIRF630F , HIRF730 , HIRF730F , HIRF740 , HIRF740F , P55NF06 , HIRF830F , HIRF840 , HIRF840F , BUZ11S2 , BUZ11S2FI , BUZ353 , BUZ354 , IRF152 .

History: LSB60R125HT | SL9926A | LSB60R180HT | STM9930A | P0260ATF | SVT035R5NT | TMP630Z

 

 

 

 

↑ Back to Top
.