HIRF830 - аналоги и даташиты транзистора

 

HIRF830 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HIRF830
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для HIRF830

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HIRF830 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:46K  hsmc
 hirf830.pdf pdf_icon

HIRF830

Spec. No. : MOS200407HI-SINCERITYIssued Date : 2004.10.01Revised Date : 2005.04.22MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HIRF830 Series Pin AssignmentHIRF830 / HIRF830FTabN-CHANNEL POWER MOSFET3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: EPin 1: GatePin 2 & Tab: DrainDescriptionPin 3: SourceThis N - Channel MOSFETs provide the designer with the bestcombination of fast swi

 9.1. Size:47K  hsmc
 hirf840.pdf pdf_icon

HIRF830

Spec. No. : MOS200505HI-SINCERITYIssued Date : 2005.06.01Revised Date : 2005.06.08MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HIRF840 Series Pin AssignmentHIRF840 / HIRF840FTabN-CHANNEL POWER MOSFET3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: EPin 1: GatePin 2 & Tab: DrainDescriptionPin 3: SourceThis N - Channel MOSFETs provide the designer with the bestcombination of fast swi

Другие MOSFET... H9926S , H9926TS , HIRF630 , HIRF630F , HIRF730 , HIRF730F , HIRF740 , HIRF740F , IRFB4115 , HIRF830F , HIRF840 , HIRF840F , BUZ11S2 , BUZ11S2FI , BUZ353 , BUZ354 , IRF152 .

 

 
Back to Top

 


 
.