HIRF830 - описание и поиск аналогов

 

HIRF830. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HIRF830

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для HIRF830

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HIRF830 даташит

 ..1. Size:46K  hsmc
 hirf830.pdf pdf_icon

HIRF830

Spec. No. MOS200407 HI-SINCERITY Issued Date 2004.10.01 Revised Date 2005.04.22 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HIRF830 Series Pin Assignment HIRF830 / HIRF830F Tab N-CHANNEL POWER MOSFET 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source This N - Channel MOSFETs provide the designer with the best combination of fast swi

 9.1. Size:47K  hsmc
 hirf840.pdf pdf_icon

HIRF830

Spec. No. MOS200505 HI-SINCERITY Issued Date 2005.06.01 Revised Date 2005.06.08 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HIRF840 Series Pin Assignment HIRF840 / HIRF840F Tab N-CHANNEL POWER MOSFET 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source This N - Channel MOSFETs provide the designer with the best combination of fast swi

Другие MOSFET... H9926S , H9926TS , HIRF630 , HIRF630F , HIRF730 , HIRF730F , HIRF740 , HIRF740F , P55NF06 , HIRF830F , HIRF840 , HIRF840F , BUZ11S2 , BUZ11S2FI , BUZ353 , BUZ354 , IRF152 .

History: EN2301 | 2SK1151S | CM8N50F

 

 

 

 

↑ Back to Top
.