HIRF830F Todos los transistores

 

HIRF830F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HIRF830F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP
 

 Búsqueda de reemplazo de HIRF830F MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HIRF830F Datasheet (PDF)

 7.1. Size:46K  hsmc
 hirf830.pdf pdf_icon

HIRF830F

Spec. No. : MOS200407HI-SINCERITYIssued Date : 2004.10.01Revised Date : 2005.04.22MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HIRF830 Series Pin AssignmentHIRF830 / HIRF830FTabN-CHANNEL POWER MOSFET3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: EPin 1: GatePin 2 & Tab: DrainDescriptionPin 3: SourceThis N - Channel MOSFETs provide the designer with the bestcombination of fast swi

 9.1. Size:47K  hsmc
 hirf840.pdf pdf_icon

HIRF830F

Spec. No. : MOS200505HI-SINCERITYIssued Date : 2005.06.01Revised Date : 2005.06.08MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HIRF840 Series Pin AssignmentHIRF840 / HIRF840FTabN-CHANNEL POWER MOSFET3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: EPin 1: GatePin 2 & Tab: DrainDescriptionPin 3: SourceThis N - Channel MOSFETs provide the designer with the bestcombination of fast swi

Otros transistores... H9926TS , HIRF630 , HIRF630F , HIRF730 , HIRF730F , HIRF740 , HIRF740F , HIRF830 , 2SK3878 , HIRF840 , HIRF840F , BUZ11S2 , BUZ11S2FI , BUZ353 , BUZ354 , IRF152 , IRF521FI .

History: GSM4599W | 2SK1295 | AJCS160N08I | SSF11NS60UF | R6004KNJ | STU12N60M2

 

 
Back to Top

 


 
.