HIRF830F - описание и поиск аналогов

 

HIRF830F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HIRF830F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO220FP

Аналог (замена) для HIRF830F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HIRF830F даташит

 7.1. Size:46K  hsmc
 hirf830.pdf pdf_icon

HIRF830F

Spec. No. MOS200407 HI-SINCERITY Issued Date 2004.10.01 Revised Date 2005.04.22 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HIRF830 Series Pin Assignment HIRF830 / HIRF830F Tab N-CHANNEL POWER MOSFET 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source This N - Channel MOSFETs provide the designer with the best combination of fast swi

 9.1. Size:47K  hsmc
 hirf840.pdf pdf_icon

HIRF830F

Spec. No. MOS200505 HI-SINCERITY Issued Date 2005.06.01 Revised Date 2005.06.08 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HIRF840 Series Pin Assignment HIRF840 / HIRF840F Tab N-CHANNEL POWER MOSFET 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source This N - Channel MOSFETs provide the designer with the best combination of fast swi

Другие MOSFET... H9926TS , HIRF630 , HIRF630F , HIRF730 , HIRF730F , HIRF740 , HIRF740F , HIRF830 , 8205A , HIRF840 , HIRF840F , BUZ11S2 , BUZ11S2FI , BUZ353 , BUZ354 , IRF152 , IRF521FI .

History: GKI06071 | TK5P60W | SPB80N03S2-03

 

 

 

 

↑ Back to Top
.