HIRF840 Todos los transistores

 

HIRF840 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HIRF840

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 74 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 63 nC

Tiempo de elevación (tr): 23 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 310 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.85 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220AB

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HIRF840 Datasheet (PDF)

1.1. hirf840.pdf Size:47K _hsmc

HIRF840
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Spec. No. : MOS200505 HI-SINCERITY Issued Date : 2005.06.01 Revised Date : 2005.06.08 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 HIRF840 Series Pin Assignment HIRF840 / HIRF840F Tab N-CHANNEL POWER MOSFET 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code: E Pin 1: Gate Pin 2 & Tab: Drain Description Pin 3: Source This N - Channel MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switch

5.1. hirf830.pdf Size:46K _hsmc

HIRF840
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Spec. No. : MOS200407 HI-SINCERITY Issued Date : 2004.10.01 Revised Date : 2005.04.22 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 HIRF830 Series Pin Assignment HIRF830 / HIRF830F Tab N-CHANNEL POWER MOSFET 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code: E Pin 1: Gate Pin 2 & Tab: Drain Description Pin 3: Source This N - Channel MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switch

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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