HIRF840 - описание и поиск аналогов

 

HIRF840. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HIRF840

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для HIRF840

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HIRF840 даташит

 ..1. Size:47K  hsmc
 hirf840.pdf pdf_icon

HIRF840

Spec. No. MOS200505 HI-SINCERITY Issued Date 2005.06.01 Revised Date 2005.06.08 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HIRF840 Series Pin Assignment HIRF840 / HIRF840F Tab N-CHANNEL POWER MOSFET 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source This N - Channel MOSFETs provide the designer with the best combination of fast swi

 9.1. Size:46K  hsmc
 hirf830.pdf pdf_icon

HIRF840

Spec. No. MOS200407 HI-SINCERITY Issued Date 2004.10.01 Revised Date 2005.04.22 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HIRF830 Series Pin Assignment HIRF830 / HIRF830F Tab N-CHANNEL POWER MOSFET 3-Lead Plastic TO-220AB Package Code E Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain Description Pin 3 Source This N - Channel MOSFETs provide the designer with the best combination of fast swi

Другие MOSFET... HIRF630 , HIRF630F , HIRF730 , HIRF730F , HIRF740 , HIRF740F , HIRF830 , HIRF830F , 7N65 , HIRF840F , BUZ11S2 , BUZ11S2FI , BUZ353 , BUZ354 , IRF152 , IRF521FI , IRF522FI .

History: TK5P60W

 

 

 

 

↑ Back to Top
.