IRF723FI Todos los transistores

 

IRF723FI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF723FI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOWATT220
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRF723FI Datasheet (PDF)

 8.1. Size:92K  international rectifier
 irf7233.pdf pdf_icon

IRF723FI

PD- 91849DIRF7233HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceA1 8S D P-Channel MOSFETVDSS = -12V2 7 Surface MountS D Available in Tape & Reel3 6S D4 5G DRDS(on) = 0.020Top ViewDescriptionThese P-Channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. This benefitp

 8.2. Size:161K  international rectifier
 irf7233pbf.pdf pdf_icon

IRF723FI

PD - 95939IRF7233PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceA1 8S Dl P-Channel MOSFETVDSS = -12V2 7l Surface MountS Dl Available in Tape & Reel3 6S Dl Lead-Free4 5G DRDS(on) = 0.020Top ViewDescriptionThese P-Channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon a

 8.3. Size:476K  st
 irf720 irf721 irf722 irf723-fi.pdf pdf_icon

IRF723FI

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History: UK3919 | IRFSL31N20DP | HM4612 | P9515BD | OSG80R900FF | AP9563GK | AOTF7N70

 

 
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