IRF723FI Todos los transistores

 

IRF723FI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF723FI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOWATT220
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRF723FI Datasheet (PDF)

 8.1. Size:92K  international rectifier
 irf7233.pdf pdf_icon

IRF723FI

PD- 91849DIRF7233HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceA1 8S D P-Channel MOSFETVDSS = -12V2 7 Surface MountS D Available in Tape & Reel3 6S D4 5G DRDS(on) = 0.020Top ViewDescriptionThese P-Channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. This benefitp

 8.2. Size:161K  international rectifier
 irf7233pbf.pdf pdf_icon

IRF723FI

PD - 95939IRF7233PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceA1 8S Dl P-Channel MOSFETVDSS = -12V2 7l Surface MountS Dl Available in Tape & Reel3 6S Dl Lead-Free4 5G DRDS(on) = 0.020Top ViewDescriptionThese P-Channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon a

 8.3. Size:476K  st
 irf720 irf721 irf722 irf723-fi.pdf pdf_icon

IRF723FI

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRF542FI , IRF543FI , IRF621FI , IRF622FI , IFR623 , IRF623FI , IRF721FI , IRF722FI , IRF530 , IRF731FI , IRF732FI , IRF733FI , IRF741FI , IRF742FI , IRF743FI , IRF821FI , IRF823FI .

 

 
Back to Top

 


 
.