IRF723FI - описание и поиск аналогов

 

IRF723FI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF723FI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 350 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT220

Аналог (замена) для IRF723FI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF723FI даташит

 8.1. Size:92K  international rectifier
 irf7233.pdf pdf_icon

IRF723FI

PD- 91849D IRF7233 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance A 1 8 S D P-Channel MOSFET VDSS = -12V 2 7 Surface Mount S D Available in Tape & Reel 3 6 S D 4 5 G D RDS(on) = 0.020 Top View Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit p

 8.2. Size:161K  international rectifier
 irf7233pbf.pdf pdf_icon

IRF723FI

PD - 95939 IRF7233PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance A 1 8 S D l P-Channel MOSFET VDSS = -12V 2 7 l Surface Mount S D l Available in Tape & Reel 3 6 S D l Lead-Free 4 5 G D RDS(on) = 0.020 Top View Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon a

 8.3. Size:476K  st
 irf720 irf721 irf722 irf723-fi.pdf pdf_icon

IRF723FI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF542FI , IRF543FI , IRF621FI , IRF622FI , IFR623 , IRF623FI , IRF721FI , IRF722FI , IRF1010E , IRF731FI , IRF732FI , IRF733FI , IRF741FI , IRF742FI , IRF743FI , IRF821FI , IRF823FI .

History: SI1028X | 2SK2957L | 30N03A | HY3810PM | NTR4101P | STC5NF20V

 

 

 

 

↑ Back to Top
.