Справочник MOSFET. IRF723FI

 

IRF723FI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF723FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220
 

 Аналог (замена) для IRF723FI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF723FI Datasheet (PDF)

 8.1. Size:92K  international rectifier
 irf7233.pdf pdf_icon

IRF723FI

PD- 91849DIRF7233HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceA1 8S D P-Channel MOSFETVDSS = -12V2 7 Surface MountS D Available in Tape & Reel3 6S D4 5G DRDS(on) = 0.020Top ViewDescriptionThese P-Channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. This benefitp

 8.2. Size:161K  international rectifier
 irf7233pbf.pdf pdf_icon

IRF723FI

PD - 95939IRF7233PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceA1 8S Dl P-Channel MOSFETVDSS = -12V2 7l Surface MountS Dl Available in Tape & Reel3 6S Dl Lead-Free4 5G DRDS(on) = 0.020Top ViewDescriptionThese P-Channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon a

 8.3. Size:476K  st
 irf720 irf721 irf722 irf723-fi.pdf pdf_icon

IRF723FI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF542FI , IRF543FI , IRF621FI , IRF622FI , IFR623 , IRF623FI , IRF721FI , IRF722FI , IRF530 , IRF731FI , IRF732FI , IRF733FI , IRF741FI , IRF742FI , IRF743FI , IRF821FI , IRF823FI .

History: GKI06109 | TPC8063-H

 

 
Back to Top

 


 
.