IRF733FI Todos los transistores

 

IRF733FI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF733FI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOWATT220
 

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IRF733FI Datasheet (PDF)

 8.1. Size:169K  international rectifier
 irf7338.pdf pdf_icon

IRF733FI

PD - 94372AIRF7338HEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceN-CHANNEL MOSFETN-Ch P-Ch1 8S1 D1l Dual N and P Channel MOSFET2 7l Surface MountG1 D1VDSS 12V -12Vl Available in Tape & Reel3 6S2 D245G2 D2P-CHANNEL MOSFETRDS(on) 0.034 0.150Top ViewDescriptionThese N and P channel MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing

 8.2. Size:199K  international rectifier
 irf7331.pdf pdf_icon

IRF733FI

PD - 94225IRF7331HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance)VDSS RDS(on) max (m) ID))) Dual N-Channel MOSFET20V 30@VGS = 4.5V 7.0A Surface Mount45@VGS = 2.5V 5.6A Available in Tape & ReelDescription1 8S1 D1These N-Channel HEXFET power MOSFETs from2 7G1 D1International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the ex

 8.3. Size:194K  international rectifier
 irf7331pbf-1.pdf pdf_icon

IRF733FI

IRF7331TRPbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 20 V1 8S1 D1RDS(on) max 302 7(@V = 4.5V) G1 D1GSmRDS(on) max 3 6S2 D245(@V = 2.5V)GS45G2 D2Qg (typical) 13 nCID Top View SO-87.0 A(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingR

 8.4. Size:214K  international rectifier
 irf7331pbf.pdf pdf_icon

IRF733FI

PD - 95266AIRF7331PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max (mW) IDl Dual N-Channel MOSFET20V 30@VGS = 4.5V 7.0Al Surface Mount45@VGS = 2.5V 5.6Al Available in Tape & Reell Lead-FreeDescription1 8S1 D1These N-Channel HEXFET power MOSFETs from2 7G1 D1International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the extremel

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History: IRHYS67130CM | SIRA96DP | SFP085N165C3 | SIS2305PLT1G | WSD40120DN56 | NCE30PD08S | SNN060L10F

 

 
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