IRF733FI datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF733FI  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 350 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF733FI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF733FI даташит

 8.1. Size:169K  international rectifier
 irf7338.pdf pdf_icon

IRF733FI

PD - 94372A IRF7338 HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance N-CHANNEL MOSFET N-Ch P-Ch 1 8 S1 D1 l Dual N and P Channel MOSFET 2 7 l Surface Mount G1 D1 VDSS 12V -12V l Available in Tape & Reel 3 6 S2 D2 4 5 G2 D2 P-CHANNEL MOSFET RDS(on) 0.034 0.150 Top View Description These N and P channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing

 8.2. Size:199K  international rectifier
 irf7331.pdf pdf_icon

IRF733FI

PD - 94225 IRF7331 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance ) VDSS RDS(on) max (m ) ID ) ) ) Dual N-Channel MOSFET 20V 30@VGS = 4.5V 7.0A Surface Mount 45@VGS = 2.5V 5.6A Available in Tape & Reel Description 1 8 S1 D1 These N-Channel HEXFET power MOSFETs from 2 7 G1 D1 International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the ex

 8.3. Size:194K  international rectifier
 irf7331pbf-1.pdf pdf_icon

IRF733FI

IRF7331TRPbF-1 HEXFET Power MOSFET VDS 20 V 1 8 S1 D1 RDS(on) max 30 2 7 (@V = 4.5V) G1 D1 GS m RDS(on) max 3 6 S2 D2 45 (@V = 2.5V) GS 4 5 G2 D2 Qg (typical) 13 nC ID Top View SO-8 7.0 A (@T = 25 C) A Features Benefits Industry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing R

 8.4. Size:214K  international rectifier
 irf7331pbf.pdf pdf_icon

IRF733FI

PD - 95266A IRF7331PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max (mW) ID l Dual N-Channel MOSFET 20V 30@VGS = 4.5V 7.0A l Surface Mount 45@VGS = 2.5V 5.6A l Available in Tape & Reel l Lead-Free Description 1 8 S1 D1 These N-Channel HEXFET power MOSFETs from 2 7 G1 D1 International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremel

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF622FI, IFR623, IRF623FI, IRF721FI, IRF722FI, IRF723FI, IRF731FI, IRF732FI, 12N60, IRF741FI, IRF742FI, IRF743FI, IRF821FI, IRF823FI, IRF832FI, IRF833FI, IRF842FI