Справочник MOSFET. IRF733FI

 

IRF733FI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF733FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF733FI Datasheet (PDF)

 8.1. Size:169K  international rectifier
irf7338.pdfpdf_icon

IRF733FI

PD - 94372AIRF7338HEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceN-CHANNEL MOSFETN-Ch P-Ch1 8S1 D1l Dual N and P Channel MOSFET2 7l Surface MountG1 D1VDSS 12V -12Vl Available in Tape & Reel3 6S2 D245G2 D2P-CHANNEL MOSFETRDS(on) 0.034 0.150Top ViewDescriptionThese N and P channel MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing

 8.2. Size:199K  international rectifier
irf7331.pdfpdf_icon

IRF733FI

PD - 94225IRF7331HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance)VDSS RDS(on) max (m) ID))) Dual N-Channel MOSFET20V 30@VGS = 4.5V 7.0A Surface Mount45@VGS = 2.5V 5.6A Available in Tape & ReelDescription1 8S1 D1These N-Channel HEXFET power MOSFETs from2 7G1 D1International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the ex

 8.3. Size:194K  international rectifier
irf7331pbf-1.pdfpdf_icon

IRF733FI

IRF7331TRPbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 20 V1 8S1 D1RDS(on) max 302 7(@V = 4.5V) G1 D1GSmRDS(on) max 3 6S2 D245(@V = 2.5V)GS45G2 D2Qg (typical) 13 nCID Top View SO-87.0 A(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingR

 8.4. Size:214K  international rectifier
irf7331pbf.pdfpdf_icon

IRF733FI

PD - 95266AIRF7331PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max (mW) IDl Dual N-Channel MOSFET20V 30@VGS = 4.5V 7.0Al Surface Mount45@VGS = 2.5V 5.6Al Available in Tape & Reell Lead-FreeDescription1 8S1 D1These N-Channel HEXFET power MOSFETs from2 7G1 D1International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the extremel

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: BUK100-50GS | SDF120JDA-D | IRLU3715 | DG840 | KNB1906A | FDPF8N50NZU | IRLR024ZPBF

 

 
Back to Top

 


 
.