2SJ113 Todos los transistores

 

2SJ113 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SJ113

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 100 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 50 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 650 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.25 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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2SJ113 Datasheet (PDF)

1.1. 2sj113.pdf Size:43K _hitachi

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5.1. 2sj116.pdf Size:208K _hitachi

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5.2. 2sj117.pdf Size:20K _hitachi

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2SJ117 Silicon P-Channel MOS FET ADE-208-1180 (Z) 1st. Edition Mar. 2001 Application High speed power switching Features • High speed switching • Good frequency characteristics • Wide area of safe operation • Suitable for switching regulator, DC-DC converter and ultrasonic power oscillators. Outline TO-220AB D 1 2 3 1. Gate 2. Drain G (Flange) 3. Source S 2SJ117

 5.3. 2sj115.pdf Size:53K _no

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5.4. 2sj118.pdf Size:140K _no

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