2SJ113 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SJ113  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2SJ113

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ113 даташит

 ..1. Size:43K  hitachi
 2sj113.pdf pdf_icon

2SJ113

 9.1. Size:208K  hitachi
 2sj116.pdf pdf_icon

2SJ113

 9.2. Size:20K  hitachi
 2sj117.pdf pdf_icon

2SJ113

2SJ117 Silicon P-Channel MOS FET ADE-208-1180 (Z) 1st. Edition Mar. 2001 Application High speed power switching Features High speed switching Good frequency characteristics Wide area of safe operation Suitable for switching regulator, DC-DC converter and ultrasonic power oscillators. Outline TO-220AB D 1 2 3 1. Gate 2. Drain G (Flange) 3. Source S 2SJ117

 9.3. Size:53K  no
 2sj115.pdf pdf_icon

2SJ113

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BF244A, BF244B, BF244C, 19MT050XF, 2SJ104, 2SJ107, 2SJ108, 2SJ109, 2SK3568, 2SJ115, 2SJ116, 2SJ117, 2SJ118, 2SJ119, 2SJ130, 2SJ175, 2SJ181