Справочник MOSFET. 2SJ113

 

2SJ113 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 2SJ113

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 50 ns

Выходная емкость (Cd): 650 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для 2SJ113

 

 

2SJ113 Datasheet (PDF)

0.1. 2sj113.pdf Size:43K _hitachi

2SJ113

9.1. 2sj116.pdf Size:208K _hitachi

2SJ113
2SJ113

9.2. 2sj117.pdf Size:20K _hitachi

2SJ113
2SJ113

2SJ117Silicon P-Channel MOS FETADE-208-1180 (Z)1st. EditionMar. 2001ApplicationHigh speed power switchingFeatures High speed switching Good frequency characteristics Wide area of safe operation Suitable for switching regulator, DC-DC converter and ultrasonic power oscillators.OutlineTO-220ABD1231. Gate2. DrainG(Flange)3. SourceS2SJ117

 9.3. 2sj115.pdf Size:53K _no

2SJ113

9.4. 2sj118.pdf Size:140K _no

2SJ113
2SJ113

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top