2SJ399 Todos los transistores

 

2SJ399 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SJ399
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2170 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: MPAK
 

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2SJ399 Datasheet (PDF)

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2SJ399

2SJ399Silicon P-Channel MOS FETREJ03G0193-0200Z(Previous ADE-208-267 (Z) )Rev.2.00Apr.05.2004ApplicationLow frequency power switchingFeatures Low on-resistance Small package Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for low signal load switch.OutlineMPAK312D1. SourceG2. Gate3. DrainSNote: Marki

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