Справочник MOSFET. 2SJ399

 

2SJ399 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SJ399
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: MPAK
 

 Аналог (замена) для 2SJ399

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ399 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:99K  renesas
 2sj399.pdf pdf_icon

2SJ399

2SJ399Silicon P-Channel MOS FETREJ03G0193-0200Z(Previous ADE-208-267 (Z) )Rev.2.00Apr.05.2004ApplicationLow frequency power switchingFeatures Low on-resistance Small package Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for low signal load switch.OutlineMPAK312D1. SourceG2. Gate3. DrainSNote: Marki

Другие MOSFET... 2SJ319 , 2SJ361 , 2SJ362 , 2SJ363 , 2SJ364 , 2SJ365 , 2SJ368 , 2SJ387 , P60NF06 , 2SJ451 , 2SJ48 , 2SJ49 , 2SJ50 , 2SJ574 , 2SJ576 , 2SJ590LS , 2SJ601 .

History: CSD18534Q5A | PNMTO600V5 | 2SK2939S

 

 
Back to Top

 


 
.