2SJ399 - описание и поиск аналогов

 

2SJ399. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SJ399

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2170 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: MPAK

Аналог (замена) для 2SJ399

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ399 даташит

 ..1. Size:99K  renesas
 2sj399.pdf pdf_icon

2SJ399

2SJ399 Silicon P-Channel MOS FET REJ03G0193-0200Z (Previous ADE-208-267 (Z) ) Rev.2.00 Apr.05.2004 Application Low frequency power switching Features Low on-resistance Small package Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for low signal load switch. Outline MPAK 3 1 2 D 1. Source G 2. Gate 3. Drain S Note Marki

Другие MOSFET... 2SJ319 , 2SJ361 , 2SJ362 , 2SJ363 , 2SJ364 , 2SJ365 , 2SJ368 , 2SJ387 , AO4407 , 2SJ451 , 2SJ48 , 2SJ49 , 2SJ50 , 2SJ574 , 2SJ576 , 2SJ590LS , 2SJ601 .

History: WSF09N20G | VN0335N1 | 5N20A | WSD3050DN | NCE2305A | WMJ12N105C2 | WMK11N80M3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.