2SJ601Z Todos los transistores

 

2SJ601Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SJ601Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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2SJ601Z Datasheet (PDF)

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2SJ601Z

PRELIMINARY DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SJ601SWITCHINGP-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONORDERING INFORMATION The 2SJ601 is P-channel MOS Field Effect Transistor designedPART NUMBER PACKAGEfor solenoid, motor and lamp driver.2SJ601 TO-2512SJ601-Z TO-252FEATURES Low on-state resistance:RDS(on)1 = 31 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A)

 8.2. Size:52K  nec
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2SJ601Z

PRELIMINARY DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SJ601SWITCHINGP-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONORDERING INFORMATION The 2SJ601 is P-channel MOS Field Effect Transistor designedPART NUMBER PACKAGEfor solenoid, motor and lamp driver.2SJ601 TO-2512SJ601-Z TO-252FEATURES Low on-state resistance:RDS(on)1 = 31 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A)

 8.3. Size:1408K  cn vbsemi
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2SJ601Z

2SJ601-Zwww.VBsemi.twP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Material categorization:0.020 at VGS = - 10 V - 50- 600.025 at VGS = - 4.5 V - 45APPLICATIONS Load SwitchTO-252SGDG SDTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Parameter S

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History: STL80N3LLH6 | BUK962R8-30B

 

 
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