2SJ601Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2SJ601Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 36 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 580 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO252
2SJ601Z Datasheet (PDF)
2sj601.pdf
PRELIMINARY DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SJ601SWITCHINGP-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONORDERING INFORMATION The 2SJ601 is P-channel MOS Field Effect Transistor designedPART NUMBER PACKAGEfor solenoid, motor and lamp driver.2SJ601 TO-2512SJ601-Z TO-252FEATURES Low on-state resistance:RDS(on)1 = 31 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A)
2sj601-z.pdf
PRELIMINARY DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SJ601SWITCHINGP-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONORDERING INFORMATION The 2SJ601 is P-channel MOS Field Effect Transistor designedPART NUMBER PACKAGEfor solenoid, motor and lamp driver.2SJ601 TO-2512SJ601-Z TO-252FEATURES Low on-state resistance:RDS(on)1 = 31 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A)
2sj601-z.pdf
2SJ601-Zwww.VBsemi.twP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Material categorization:0.020 at VGS = - 10 V - 50- 600.025 at VGS = - 4.5 V - 45APPLICATIONS Load SwitchTO-252SGDG SDTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Parameter S
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
