AP06P20GJ-HF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP06P20GJ-HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO251

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AP06P20GJ-HF datasheet

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AP06P20GJ-HF

AP06P20GJ-HF Preliminary Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS -200V Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.4 RoHS Compliant & Halogen-Free ID -4.7A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G designer with the best combination of fast switching, D S TO-251(J) ruggedized device design, low

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