AP06P20GJ-HF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP06P20GJ-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для AP06P20GJ-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP06P20GJ-HF даташит

 0.1. Size:95K  ape
 ap06p20gj-hf-pre.pdf pdf_icon

AP06P20GJ-HF

AP06P20GJ-HF Preliminary Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS -200V Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.4 RoHS Compliant & Halogen-Free ID -4.7A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G designer with the best combination of fast switching, D S TO-251(J) ruggedized device design, low

Другие IGBT... AP05N50EJ-HF, AP05N50H-HF, AP05N50I, AP05N50IB-HF, AP05N50P, AP05N50S-HF, AP0603GH-HF, AP0603GM-HF, 4N60, AP0704GMT-HF, AP07N70CI-H, AP0803GMP-HF, AP0803GMT-HF, AP08N60I-HF, AP08P20GP-HF, AP08P20GS-HF, AP0903GH-HF