AP06P20GJ-HF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AP06P20GJ-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для AP06P20GJ-HF
AP06P20GJ-HF Datasheet (PDF)
ap06p20gj-hf-pre.pdf

AP06P20GJ-HFPreliminaryAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS -200V Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.4 RoHS Compliant & Halogen-Free ID -4.7AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching, DSTO-251(J)ruggedized device design, low
Другие MOSFET... AP05N50EJ-HF , AP05N50H-HF , AP05N50I , AP05N50IB-HF , AP05N50P , AP05N50S-HF , AP0603GH-HF , AP0603GM-HF , 2SK3568 , AP0704GMT-HF , AP07N70CI-H , AP0803GMP-HF , AP0803GMT-HF , AP08N60I-HF , AP08P20GP-HF , AP08P20GS-HF , AP0903GH-HF .
History: LNF12N65 | AFP6993 | JMSH1565AKSQ | IRFP4321PBF | 4N90G-TA3-T | UT3458 | PHD82NQ03LT
History: LNF12N65 | AFP6993 | JMSH1565AKSQ | IRFP4321PBF | 4N90G-TA3-T | UT3458 | PHD82NQ03LT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
a950 transistor | k2611 | c1740 transistor | c828 transistor | c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet