Справочник MOSFET. AP06P20GJ-HF

 

AP06P20GJ-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP06P20GJ-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для AP06P20GJ-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP06P20GJ-HF Datasheet (PDF)

 0.1. Size:95K  ape
 ap06p20gj-hf-pre.pdf pdf_icon

AP06P20GJ-HF

AP06P20GJ-HFPreliminaryAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS -200V Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.4 RoHS Compliant & Halogen-Free ID -4.7AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching, DSTO-251(J)ruggedized device design, low

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: APQ08SN50B

 

 
Back to Top

 


 
.