AP08N60I-HF Todos los transistores

 

AP08N60I-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP08N60I-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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AP08N60I-HF Datasheet (PDF)

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AP08N60I-HF

AP08N60I-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 600VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.85 Simple Drive Requirement ID 8AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP08N60 series are specially designed as main switching devices foruniversal 90~265VAC off-line AC/DC conv

Otros transistores... AP05N50S-HF , AP0603GH-HF , AP0603GM-HF , AP06P20GJ-HF , AP0704GMT-HF , AP07N70CI-H , AP0803GMP-HF , AP0803GMT-HF , 13N50 , AP08P20GP-HF , AP08P20GS-HF , AP0903GH-HF , AP0903GM-HF , AP0903GYT-HF , AP0904GH-HF , AP0904GJB-HF , AP0904GJ-HF .

History: FDG6332C

 

 
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