AP08N60I-HF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP08N60I-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для AP08N60I-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP08N60I-HF даташит

 ..1. Size:59K  ape
 ap08n60i-hf.pdf pdf_icon

AP08N60I-HF

AP08N60I-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 600V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.85 Simple Drive Requirement ID 8A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP08N60 series are specially designed as main switching devices for universal 90 265VAC off-line AC/DC conv

Другие IGBT... AP05N50S-HF, AP0603GH-HF, AP0603GM-HF, AP06P20GJ-HF, AP0704GMT-HF, AP07N70CI-H, AP0803GMP-HF, AP0803GMT-HF, 5N60, AP08P20GP-HF, AP08P20GS-HF, AP0903GH-HF, AP0903GM-HF, AP0903GYT-HF, AP0904GH-HF, AP0904GJB-HF, AP0904GJ-HF