Справочник MOSFET. AP08N60I-HF

 

AP08N60I-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP08N60I-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для AP08N60I-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP08N60I-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  ape
 ap08n60i-hf.pdf pdf_icon

AP08N60I-HF

AP08N60I-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 600VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.85 Simple Drive Requirement ID 8AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP08N60 series are specially designed as main switching devices foruniversal 90~265VAC off-line AC/DC conv

Другие MOSFET... AP05N50S-HF , AP0603GH-HF , AP0603GM-HF , AP06P20GJ-HF , AP0704GMT-HF , AP07N70CI-H , AP0803GMP-HF , AP0803GMT-HF , 13N50 , AP08P20GP-HF , AP08P20GS-HF , AP0903GH-HF , AP0903GM-HF , AP0903GYT-HF , AP0904GH-HF , AP0904GJB-HF , AP0904GJ-HF .

History: 2SK4101LS

 

 
Back to Top

 


 
.