2SK3391 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

2SK3391 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK3391

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 17 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm

Encapsulados: UPAK

Búsqueda de reemplazo de 2SK3391 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

2SK3391 datasheet

..1. Size:151K renesas
2sk3391.pdf pdf_icon

2SK3391 Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier REJ03G0209-0300 Rev.3.00 Nov 08, 2007 Features High power output, High gain, High efficiency PG = 18 dB, Pout = 1.6 W, add = 58% min. (f = 836 MHz) Compact package capable of surface mounting Outline RENESAS Package code PLZZ0004CA-A R (Package Name UPAK ) 3 1 2 1. Gate 3 1 2. Source 3. Drain 4. S

8.1. Size:190K toshiba
2sk3398.pdf pdf_icon

2SK3398 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSV) 2SK3398 Switching Regulator and DC-DC Converter Applications Unit mm Motor Drive Applications Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.4 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 9.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode Vth

8.2. Size:220K toshiba
2sk3399.pdf pdf_icon

2SK3399 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSV) 2SK3399 Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.54 (typ) High forward transfer admittance Yfs = 5.2 S (typ) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDSS = 600 V) Enhancementmode Vth = 3.0 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute M

8.3. Size:215K toshiba
2sk3397.pdf pdf_icon

2SK3397 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII) 2SK3397 Relay Drive and DC-DC Converter Applications Unit mm Motor Drive Applications Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 4.0 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 110 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 30 V) Enhancement mode Vth = 1.5 to 3.0 V (V

Otros transistores... AP15P10GS, AP15P15GH-HF, AP15P15GI, AP15P15GM-HF, AP15P15GP-HF, AP15T15GH-HF, AP15T15GI-HF, AP15T15GM-HF, 12N60, 2SK3475, 2SK3476, 2SK3480, 2SK3480-S, 2SK3480-ZJ, 2SK3480-Z, 2SK3481, 2SK3481-S

2SK3391 Todos los transistores