2SK3391. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SK3391
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 17 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 3.5 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
Тип корпуса: UPAK
Аналог (замена) для 2SK3391
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2SK3391 даташит
2sk3391.pdf
2SK3391 Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier REJ03G0209-0300 Rev.3.00 Nov 08, 2007 Features High power output, High gain, High efficiency PG = 18 dB, Pout = 1.6 W, add = 58% min. (f = 836 MHz) Compact package capable of surface mounting Outline RENESAS Package code PLZZ0004CA-A R (Package Name UPAK ) 3 1 2 1. Gate 3 1 2. Source 3. Drain 4. S
2sk3398.pdf
2SK3398 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSV) 2SK3398 Switching Regulator and DC-DC Converter Applications Unit mm Motor Drive Applications Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.4 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 9.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode Vth
2sk3399.pdf
2SK3399 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSV) 2SK3399 Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.54 (typ) High forward transfer admittance Yfs = 5.2 S (typ) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDSS = 600 V) Enhancementmode Vth = 3.0 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute M
2sk3397.pdf
2SK3397 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII) 2SK3397 Relay Drive and DC-DC Converter Applications Unit mm Motor Drive Applications Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 4.0 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 110 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 30 V) Enhancement mode Vth = 1.5 to 3.0 V (V
Другие IGBT... AP15P10GS, AP15P15GH-HF, AP15P15GI, AP15P15GM-HF, AP15P15GP-HF, AP15T15GH-HF, AP15T15GI-HF, AP15T15GM-HF, 12N60, 2SK3475, 2SK3476, 2SK3480, 2SK3480-S, 2SK3480-ZJ, 2SK3480-Z, 2SK3481, 2SK3481-S
History: RSS065N03TB
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor




