AP1RA03GMT-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP1RA03GMT-HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 185 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00159 Ohm

Encapsulados: PMPAK5X6

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AP1RA03GMT-HF datasheet

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AP1RA03GMT-HF

AP1RA03GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 1.59m Low On-resistance ID 185A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D D Description D D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switch

Otros transistores... AP18T10GH-HF, AP18T10GI, AP18T10GJ-HF, AP18T10GM-HF, AP18T10GP, AP18T20GH-HF, AP18T20GI-HF, AP1R803GMT-HF, IRF540N, AP1RC03GMT-HF, 2SK357, 2SK359, 2SK360, 2SK3611, 2SK3614, 2SK3656, 2SK3663