Справочник MOSFET. AP1RA03GMT-HF

 

AP1RA03GMT-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP1RA03GMT-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 185 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00159 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP1RA03GMT-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  ape
 ap1ra03gmt-hf.pdf pdf_icon

AP1RA03GMT-HF

AP1RA03GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 1.59m Low On-resistance ID 185AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switch

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.