Справочник MOSFET. AP1RA03GMT-HF

 

AP1RA03GMT-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP1RA03GMT-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 185 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00159 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK5X6
 

 Аналог (замена) для AP1RA03GMT-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP1RA03GMT-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  ape
 ap1ra03gmt-hf.pdf pdf_icon

AP1RA03GMT-HF

AP1RA03GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 1.59m Low On-resistance ID 185AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switch

Другие MOSFET... AP18T10GH-HF , AP18T10GI , AP18T10GJ-HF , AP18T10GM-HF , AP18T10GP , AP18T20GH-HF , AP18T20GI-HF , AP1R803GMT-HF , IRF540 , AP1RC03GMT-HF , 2SK357 , 2SK359 , 2SK360 , 2SK3611 , 2SK3614 , 2SK3656 , 2SK3663 .

History: AONS36306

 

 
Back to Top

 


 
.