AP1RC03GMT-HF Todos los transistores

 

AP1RC03GMT-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP1RC03GMT-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 260 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00099 Ohm
   Paquete / Cubierta: PMPAK5X6
 

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AP1RC03GMT-HF Datasheet (PDF)

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AP1RC03GMT-HF

AP1RC03GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 0.99m Low On-resistance ID 260AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switc

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History: MTM5N35 | RU3040M | PSMN3R9-25MLC | R6012ANX | RU30290R | SP8M3 | CM7N60

 

 
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