AP1RC03GMT-HF Todos los transistores

 

AP1RC03GMT-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP1RC03GMT-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 260 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00099 Ohm
   Paquete / Cubierta: PMPAK5X6
 

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AP1RC03GMT-HF Datasheet (PDF)

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AP1RC03GMT-HF

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History: PJP6NA70 | SSF3341 | FQA9N50

 

 
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