AP1RC03GMT-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP1RC03GMT-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 260 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1420 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00099 Ohm
Тип корпуса: PMPAK5X6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AP1RC03GMT-HF Datasheet (PDF)
ap1rc03gmt-hf.pdf

AP1RC03GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 0.99m Low On-resistance ID 260AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switc
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: RU20N65P
History: RU20N65P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent | 2sc1313 | 2sb560 replacement | 2sd330 replacement