AP2732GK MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP2732GK

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 9 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm

Encapsulados: SOT223

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AP2732GK datasheet

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AP2732GK

AP2732GK RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Lower Gate Charge RDS(ON) 26m Fast Switching Characteristic ID 8.6A S D RoHS Compliant SOT-223 G Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, low on- re

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AP2732GK

AP2732GK-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Lower Gate Charge RDS(ON) 26m Fast Switching Characteristic ID 8.6A S D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-223 G Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switch

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