Справочник MOSFET. AP2732GK

 

AP2732GK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2732GK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для AP2732GK

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2732GK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  ape
 ap2732gk.pdf pdf_icon

AP2732GK

AP2732GKRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD Lower Gate Charge RDS(ON) 26m Fast Switching Characteristic ID 8.6ASD RoHS CompliantSOT-223GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching, low on-re

 0.1. Size:59K  ape
 ap2732gk-hf.pdf pdf_icon

AP2732GK

AP2732GK-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD Lower Gate Charge RDS(ON) 26m Fast Switching Characteristic ID 8.6ASD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-223GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switch

Другие MOSFET... AP2614GY-HF , AP2615GEY-HF , AP2615GY-HF , AP2616GY-HF , AP2622GY-HF , AP2623GY , AP2625GY , AP2626GY-HF , IRF830 , AP2761I-A , AP2761I-H , AP2761I-H-HF , AP2761P-A , AP2761R-A , AP2761S-A-HF , AP2762I-A-HF , AP2762I-H-HF .

History: STW48N60M2-4 | SDF120JDA-U | IXTP02N50D | BLL6H0514-25 | JCS2N60T | 2SK3403B

 

 
Back to Top

 


 
.