AP2732GK. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2732GK

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для AP2732GK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2732GK даташит

 ..1. Size:59K  ape
 ap2732gk.pdf pdf_icon

AP2732GK

AP2732GK RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Lower Gate Charge RDS(ON) 26m Fast Switching Characteristic ID 8.6A S D RoHS Compliant SOT-223 G Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, low on- re

 0.1. Size:59K  ape
 ap2732gk-hf.pdf pdf_icon

AP2732GK

AP2732GK-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Lower Gate Charge RDS(ON) 26m Fast Switching Characteristic ID 8.6A S D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-223 G Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switch

Другие IGBT... AP2614GY-HF, AP2615GEY-HF, AP2615GY-HF, AP2616GY-HF, AP2622GY-HF, AP2623GY, AP2625GY, AP2626GY-HF, 2N60, AP2761I-A, AP2761I-H, AP2761I-H-HF, AP2761P-A, AP2761R-A, AP2761S-A-HF, AP2762I-A-HF, AP2762I-H-HF