AP2864I-A-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP2864I-A-HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de AP2864I-A-HF MOSFET
AP2864I-A-HF Datasheet (PDF)
ap2864i-a-hf.pdf
AP2864I-A-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 650VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1.1 Simple Drive Requirement ID 7AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGDAP2864 series are specially designed as main switching devices for STO-220CFM(I)universal 90~265VA
Otros transistores... AP2764AI , AP2764AI-A-HF , AP2764AI-HF , AP2764AP-A-HF , AP2764I-A , AP2765I-A-HF , AP2851GO , AP2852GO , AO4407A , AP2N7002K-HF , AP2R403AGMT-HF , AP2R403GMT-HF , AP2R803AGMT-HF , AP2R803GH-HF , AP2R803GMT-HF , AP2RA04GMT-HF , AP30N30W .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566

