AP2864I-A-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2864I-A-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для AP2864I-A-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2864I-A-HF даташит

 ..1. Size:93K  ape
 ap2864i-a-hf.pdf pdf_icon

AP2864I-A-HF

AP2864I-A-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 650V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1.1 Simple Drive Requirement ID 7A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G D AP2864 series are specially designed as main switching devices for S TO-220CFM(I) universal 90 265VA

Другие IGBT... AP2764AI, AP2764AI-A-HF, AP2764AI-HF, AP2764AP-A-HF, AP2764I-A, AP2765I-A-HF, AP2851GO, AP2852GO, AO4407A, AP2N7002K-HF, AP2R403AGMT-HF, AP2R403GMT-HF, AP2R803AGMT-HF, AP2R803GH-HF, AP2R803GMT-HF, AP2RA04GMT-HF, AP30N30W