Справочник MOSFET. AP2864I-A-HF

 

AP2864I-A-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2864I-A-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для AP2864I-A-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2864I-A-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  ape
 ap2864i-a-hf.pdf pdf_icon

AP2864I-A-HF

AP2864I-A-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 650VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1.1 Simple Drive Requirement ID 7AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGDAP2864 series are specially designed as main switching devices for STO-220CFM(I)universal 90~265VA

Другие MOSFET... AP2764AI , AP2764AI-A-HF , AP2764AI-HF , AP2764AP-A-HF , AP2764I-A , AP2765I-A-HF , AP2851GO , AP2852GO , AO3407 , AP2N7002K-HF , AP2R403AGMT-HF , AP2R403GMT-HF , AP2R803AGMT-HF , AP2R803GH-HF , AP2R803GMT-HF , AP2RA04GMT-HF , AP30N30W .

 

 
Back to Top

 


 
.