AP2N7002K-HF Todos los transistores

 

AP2N7002K-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP2N7002K-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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AP2N7002K-HF Datasheet (PDF)

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AP2N7002K-HF

AP2N7002K-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Small Package Outline RDS(ON) 2 Surface Mount Device ID 450mAS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resist

 5.1. Size:100K  ape
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AP2N7002K-HF

AP2N7002KUHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Small Package Outline RDS(ON) 2 Surface Mount Device ID 270mAS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-323GDDescriptionAP2N7002 series are from Advanced Power innovated designGand silicon process technology to achieve th

 6.1. Size:1560K  allpower
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AP2N7002K-HF

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History: H7P0601DL | STD7N60M2 | CEB83A3G | UF640L-TN3-R | PDEC3907Z | CEB830G | CEF830G

 

 
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