AP2N7002K-HF Todos los transistores

 

AP2N7002K-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP2N7002K-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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AP2N7002K-HF datasheet

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AP2N7002K-HF

AP2N7002K-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D Small Package Outline RDS(ON) 2 Surface Mount Device ID 450mA S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G Description D Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resist... See More ⇒

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AP2N7002K-HF

AP2N7002KU Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D Small Package Outline RDS(ON) 2 Surface Mount Device ID 270mA S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-323 G D Description AP2N7002 series are from Advanced Power innovated design G and silicon process technology to achieve th... See More ⇒

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