Справочник MOSFET. AP2N7002K-HF

 

AP2N7002K-HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP2N7002K-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.7 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.45 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 1 nC
   Время нарастания (tr): 10 ns
   Выходная емкость (Cd): 8 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для AP2N7002K-HF

 

 

AP2N7002K-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  ape
ap2n7002k-hf.pdf

AP2N7002K-HF
AP2N7002K-HF

AP2N7002K-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Small Package Outline RDS(ON) 2 Surface Mount Device ID 450mAS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resist

 5.1. Size:100K  ape
ap2n7002ku.pdf

AP2N7002K-HF
AP2N7002K-HF

AP2N7002KUHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Small Package Outline RDS(ON) 2 Surface Mount Device ID 270mAS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-323GDDescriptionAP2N7002 series are from Advanced Power innovated designGand silicon process technology to achieve th

 6.1. Size:1560K  allpower
ap2n7002.pdf

AP2N7002K-HF
AP2N7002K-HF

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top