AP30N30W Todos los transistores

 

AP30N30W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP30N30W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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AP30N30W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  ape
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AP30N30W

AP30N30WPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Avalanche Test BVDSS 250VSimple Drive Requirement RDS(ON) 68m Lower On-resistance ID 36A G RoHS CompliantSDescriptionAP30N30 from APEC provide the designer with the best combination of fas

 0.1. Size:111K  ape
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AP30N30W

AP30N30WIPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Avalanche Test BVDSS 250VSimple Drive Requirement RDS(ON) 68m Lower On-resistance ID 30A G RoHS CompliantSDescriptionAP30N30 from APEC provide the designer with the best combinationof f

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History: FQP50N06 | IPC100N04S5L-2R6 | FTK5N50D | AON7462 | IPA90R500C3 | IXFB82N60P | CJQ4459

 

 
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