Справочник MOSFET. AP30N30W

 

AP30N30W MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP30N30W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для AP30N30W

 

 

AP30N30W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  ape
 ap30n30w.pdf

AP30N30W AP30N30W

AP30N30WPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Avalanche Test BVDSS 250VSimple Drive Requirement RDS(ON) 68m Lower On-resistance ID 36A G RoHS CompliantSDescriptionAP30N30 from APEC provide the designer with the best combination of fas

 0.1. Size:111K  ape
 ap30n30wi.pdf

AP30N30W AP30N30W

AP30N30WIPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Avalanche Test BVDSS 250VSimple Drive Requirement RDS(ON) 68m Lower On-resistance ID 30A G RoHS CompliantSDescriptionAP30N30 from APEC provide the designer with the best combinationof f

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top