AP30N30WI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP30N30WI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PF

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP30N30WI

AP30N30WI Datasheet (PDF)

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ap30n30wi.pdf

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6.1. Size:110K ape
ap30n30w.pdf

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History: HMDN3010D

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: