Справочник MOSFET. AP30N30WI

 

AP30N30WI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP30N30WI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm
   Тип корпуса: TO3PF
 

 Аналог (замена) для AP30N30WI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP30N30WI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  ape
 ap30n30wi.pdf pdf_icon

AP30N30WI

AP30N30WIPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Avalanche Test BVDSS 250VSimple Drive Requirement RDS(ON) 68m Lower On-resistance ID 30A G RoHS CompliantSDescriptionAP30N30 from APEC provide the designer with the best combinationof f

 6.1. Size:110K  ape
 ap30n30w.pdf pdf_icon

AP30N30WI

AP30N30WPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Avalanche Test BVDSS 250VSimple Drive Requirement RDS(ON) 68m Lower On-resistance ID 36A G RoHS CompliantSDescriptionAP30N30 from APEC provide the designer with the best combination of fas

Другие MOSFET... AP2N7002K-HF , AP2R403AGMT-HF , AP2R403GMT-HF , AP2R803AGMT-HF , AP2R803GH-HF , AP2R803GMT-HF , AP2RA04GMT-HF , AP30N30W , 20N60 , AP30P10GH-HF , AP30P10GI , AP30P10GP-HF , AP30P10GS , AP30T03GH-HF , AP30T10GH-HF , AP30T10GI-HF , AP30T10GK-HF .

History: HGN058N08SL | BSP254A | HCS70R710ST | IXFK140N20P | 2SK1008-01 | CEP18N5 | NVD5890NT4G

 

 
Back to Top

 


 
.