AP42T03GP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP42T03GP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de AP42T03GP MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AP42T03GP datasheet

 ..1. Size:149K  ape
 ap42t03gp.pdf pdf_icon

AP42T03GP

AP42T03GP RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 30V Low Gate Charge RDS(ON) 22m Fast Switching Characteristic ID 30A G S Description The Advanced Power MOSFETs APEC provide the Advanced Power MOSFETs fromfrom APEC provide the designer with the best combination of fast switching,

Otros transistores... AP4226AGM, AP4226BGM-HF, AP4226GM, AP4228GM, AP4230GM-HF, AP4232AGM, AP4232BGM-HF, AP4232GM-HF, IRF840, AP4405GM, AP4407GM-HF, AP4407GP, AP4407GS, AP4407I-HF, AP4409AGEM, AP4409GEM, AP4409GEP-HF