Справочник MOSFET. AP42T03GP

 

AP42T03GP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP42T03GP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для AP42T03GP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP42T03GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  ape
 ap42t03gp.pdf pdf_icon

AP42T03GP

AP42T03GPRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 30V Low Gate Charge RDS(ON) 22m Fast Switching Characteristic ID 30AGSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs APEC provide theAdvanced Power MOSFETs fromfrom APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,

Другие MOSFET... AP4226AGM , AP4226BGM-HF , AP4226GM , AP4228GM , AP4230GM-HF , AP4232AGM , AP4232BGM-HF , AP4232GM-HF , IRF840 , AP4405GM , AP4407GM-HF , AP4407GP , AP4407GS , AP4407I-HF , AP4409AGEM , AP4409GEM , AP4409GEP-HF .

History: FQB8P10TM | OSG70R350PF | CSD16412Q5A

 

 
Back to Top

 


 
.