AP42T03GP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP42T03GP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для AP42T03GP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP42T03GP даташит

 ..1. Size:149K  ape
 ap42t03gp.pdf pdf_icon

AP42T03GP

AP42T03GP RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 30V Low Gate Charge RDS(ON) 22m Fast Switching Characteristic ID 30A G S Description The Advanced Power MOSFETs APEC provide the Advanced Power MOSFETs fromfrom APEC provide the designer with the best combination of fast switching,

Другие IGBT... AP4226AGM, AP4226BGM-HF, AP4226GM, AP4228GM, AP4230GM-HF, AP4232AGM, AP4232BGM-HF, AP4232GM-HF, IRF840, AP4405GM, AP4407GM-HF, AP4407GP, AP4407GS, AP4407I-HF, AP4409AGEM, AP4409GEM, AP4409GEP-HF