AP4501GSD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP4501GSD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7(5) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5(7) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150(180) pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027(0.049) Ohm
Encapsulados: PDIP8
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AP4501GSD datasheet
ap4501gsd.pdf
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AP4501GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2 D2 Low On-resistance RDS(ON) 28m D1 D1 Fast Switching Performance ID 7A G2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V S2 G1 S1 SO-8 RDS(ON) 50m Description ID -5.3A Advanced Power MOSFETs from APEC pro
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History: S40N12M
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