AP4501GSD - описание и поиск аналогов

 

AP4501GSD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4501GSD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7(5) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5(7) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150(180) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027(0.049) Ohm

Тип корпуса: PDIP8

Аналог (замена) для AP4501GSD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4501GSD даташит

 ..1. Size:96K  ape
 ap4501gsd.pdf pdf_icon

AP4501GSD

AP4501GSD Pb Free Plating Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2 D1 Low On-resistance D1 RDS(ON) 27m Fast Switching Characteristic ID 7A G2 P-CH BVDSS -30V S2 PDIP-8 G1 RDS(ON) 49m S1 Description ID -5A The Advanced Power

 7.1. Size:84K  ape
 ap4501gd.pdf pdf_icon

AP4501GSD

AP4501GD Pb Free Plating Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low Gate Charge N-CH BVDSS 30V D2 D2 D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 28m D1 PDIP-8 Package ID 7A RoHS Compliant P-CH BVDSS -30V G2 S2 RDS(ON) 50m PDIP-8 G1 S1 ID -5.3A Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with t

 7.2. Size:119K  ape
 ap4501gh-hf.pdf pdf_icon

AP4501GSD

AP4501GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 18m Fast Switching Performance ID 10.2A S1 G1 S2 Halogen-Free Product P-CH BVDSS -30V G2 RDS(ON) 50m TO-252-4L Description ID -6.4A Advanced Power MOSFETs from APEC provi

 7.3. Size:80K  ape
 ap4501gm-hf.pdf pdf_icon

AP4501GSD

AP4501GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2 D2 Low On-resistance RDS(ON) 28m D1 D1 Fast Switching Performance ID 7A G2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V S2 G1 S1 SO-8 RDS(ON) 50m Description ID -5.3A Advanced Power MOSFETs from APEC pro

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP4500GYT-HF , AP4501AGEM-HF , AP4501AGEY-HF , AP4501AGM-HF , AP4501CGM-HF , AP4501GD , AP4501GH-HF , AP4501GM , IRFB31N20D , AP4502AGM-HF , AP4502GM , AP4503AGEM-HF , AP4503AGM-HF , AP4503BGM-HF , AP4503BGO-HF , AP4503GM , AP4506GEH .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.