FRE9160H Todos los transistores

 

FRE9160H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FRE9160H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 440 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO258AA
 

 Búsqueda de reemplazo de FRE9160H MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FRE9160H datasheet

 7.1. Size:48K  intersil
 fre9160.pdf pdf_icon

FRE9160H

FRE9160D, FRE9160R, FRE9160H 30A, -100V, 0.095 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package 30A, -100V, RDS(on) = 0.095 TO-258AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

Otros transistores... FRE260R , FRE264D , FRE264H , FRE264R , FRE460D , FRE460H , FRE460R , FRE9160D , IRF9540 , FRE9160R , FRE9260D , FRE9260H , FRE9260R , FRF150D , FRF150H , FRF150R , FRF250D .

 

 
Back to Top

 


 
.