FRE9160H Todos los transistores

 

FRE9160H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FRE9160H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 30 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 440 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.095 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO258AA

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FRE9160H Datasheet (PDF)

3.1. fre9160.pdf Size:48K _intersil

FRE9160H
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FRE9160D, FRE9160R, FRE9160H 30A, -100V, 0.095 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package • 30A, -100V, RDS(on) = 0.095Ω TO-258AA • Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts • Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

Otros transistores... FRE260R , FRE264D , FRE264H , FRE264R , FRE460D , FRE460H , FRE460R , FRE9160D , STF5N52U , FRE9160R , FRE9260D , FRE9260H , FRE9260R , FRF150D , FRF150H , FRF150R , FRF250D .

 

 
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