FRE9160H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FRE9160H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 440 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: TO258AA

Аналог (замена) для FRE9160H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRE9160H даташит

 7.1. Size:48K  intersil
 fre9160.pdf pdf_icon

FRE9160H

FRE9160D, FRE9160R, FRE9160H 30A, -100V, 0.095 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package 30A, -100V, RDS(on) = 0.095 TO-258AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

Другие IGBT... FRE260R, FRE264D, FRE264H, FRE264R, FRE460D, FRE460H, FRE460R, FRE9160D, IRF9540, FRE9160R, FRE9260D, FRE9260H, FRE9260R, FRF150D, FRF150H, FRF150R, FRF250D