Справочник MOSFET. FRE9160H

 

FRE9160H MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FRE9160H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 440 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: TO258AA

 Аналог (замена) для FRE9160H

 

 

FRE9160H Datasheet (PDF)

 7.1. Size:48K  intersil
 fre9160.pdf

FRE9160H FRE9160H

FRE9160D, FRE9160R,FRE9160H30A, -100V, 0.095 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 30A, -100V, RDS(on) = 0.095TO-258AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

Другие MOSFET... FRE260R , FRE264D , FRE264H , FRE264R , FRE460D , FRE460H , FRE460R , FRE9160D , IRF9540 , FRE9160R , FRE9260D , FRE9260H , FRE9260R , FRF150D , FRF150H , FRF150R , FRF250D .

 

 
Back to Top