AP4513GH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP4513GH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 7.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10(8) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85(90) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042(0.075) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252-4L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP4513GH

AP4513GH Datasheet (PDF)

..1. Size:168K ape
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AP4513GHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 42m Fast Switching Performance ID 10AS1G1P-CH BVDSS -35VS2G2RDS(ON) 75mTO-252-4LDescription ID -8AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best

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AP4513GH-ARoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 32m Fast Switching Performance ID 7.7AS1G1 P-CH BVDSS -35VS2G2RDS(ON) 68mTO-252-4LDescription ID -5.5AThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with

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AP4513GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35VD2D2 Low On-resistance RDS(ON) 36mD1D1 Fast Switching Performance ID 5.8AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -35VG1S1SO-8RDS(ON)

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AP4513GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35VD2D2 Low On-resistance RDS(ON) 36mD1D1 Fast Switching Performance ID 5.8AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -35VG1S1SO-8RDS(ON) 68mDescription ID -4.3AThe Advanced Power MOSFETs from A

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AP4513GDPb Free Plating ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 35VD2D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 36mD1 PDIP-8 Package ID 5.8A RoHS Compliant G2 P-CH BVDSS -35VS2PDIP-8G1RDS(ON) 68mS1Description ID -4.3AThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with t

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: