AP4513GH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AP4513GH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10(8) A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
trⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 85(90) pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042(0.075) Ohm
Тип корпуса: TO252-4L
AP4513GH Datasheet (PDF)
ap4513gh.pdf
AP4513GHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 42m Fast Switching Performance ID 10AS1G1P-CH BVDSS -35VS2G2RDS(ON) 75mTO-252-4LDescription ID -8AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best
ap4513gh-a.pdf
AP4513GH-ARoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 32m Fast Switching Performance ID 7.7AS1G1 P-CH BVDSS -35VS2G2RDS(ON) 68mTO-252-4LDescription ID -5.5AThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with
ap4513gm.pdf
AP4513GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35VD2D2 Low On-resistance RDS(ON) 36mD1D1 Fast Switching Performance ID 5.8AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -35VG1S1SO-8RDS(ON)
ap4513gm-hf.pdf
AP4513GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35VD2D2 Low On-resistance RDS(ON) 36mD1D1 Fast Switching Performance ID 5.8AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -35VG1S1SO-8RDS(ON) 68mDescription ID -4.3AThe Advanced Power MOSFETs from A
ap4513gd.pdf
AP4513GDPb Free Plating ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 35VD2D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 36mD1 PDIP-8 Package ID 5.8A RoHS Compliant G2 P-CH BVDSS -35VS2PDIP-8G1RDS(ON) 68mS1Description ID -4.3AThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with t
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918