2SK55 Todos los transistores

 

2SK55 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK55
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 18 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 5.5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.014 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 330 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SK55 Datasheet (PDF)

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History: MEE7816AS-G | SVSP14N60TD2 | IXTU2N80P

 

 
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