Справочник MOSFET. 2SK55

 

2SK55 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK55
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 18 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.014 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 330 Ohm
   Тип корпуса: TO92
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK55 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:521K  hitachi
 2sk55.pdf pdf_icon

2SK55

 0.1. Size:247K  hitachi
 2sk554 2sk555.pdf pdf_icon

2SK55

 0.2. Size:248K  hitachi
 2sk552 2sk553.pdf pdf_icon

2SK55

 0.3. Size:251K  hitachi
 2sk556 2sk557.pdf pdf_icon

2SK55

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.