2SK560 Todos los transistores

 

2SK560 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK560
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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2SK560 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  no
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2SK560

 ..2. Size:236K  inchange semiconductor
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2SK560

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK560DESCRIPTIONDrain Current I =15A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as off-line switching power supplies

 9.1. Size:256K  toshiba
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2SK560

"MG8G4EM1""MG8G4EM1""MG8G4EM1""MG8G4EM1""MG8G4EM1""MG8G4EM1"

 9.2. Size:51K  no
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History: SI5933CDC | SPB10N10LG | 2SK1452 | DMP1022UFDE | IPB80P03P4-05 | WML11N65SR | SVF840MJ

 

 
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