Справочник MOSFET. 2SK560

 

2SK560 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK560
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для 2SK560

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK560 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  no
2sk559 2sk560.pdfpdf_icon

2SK560

 ..2. Size:236K  inchange semiconductor
2sk560.pdfpdf_icon

2SK560

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK560DESCRIPTIONDrain Current I =15A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as off-line switching power supplies

 9.1. Size:256K  toshiba
2sk568.pdfpdf_icon

2SK560

"MG8G4EM1""MG8G4EM1""MG8G4EM1""MG8G4EM1""MG8G4EM1""MG8G4EM1"

 9.2. Size:51K  no
2sk56.pdfpdf_icon

2SK560

Другие MOSFET... AP4543GEM-HF , AP4543GMT-HF , AP4563AGH-HF , AP4563GH-HF , AP4563GM , AP4569GD , 2SK56 , 2SK559 , 4N60 , 2SK578 , 2SK579L , 2SK580L , 2SK579S , 2SK580S , 2SK583 , 2SK620 , 2SK655 .

History: CJ3139KDW | RJK5013DPE | IXTQ96N15P | MTW35N15E | FDS5170N7 | SIHFBE20

 

 
Back to Top

 


 
.